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F28F010-120	文件：405.78 Kbytes Page：30 Pages	1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY Intel’s 28F010 CMOS flash memory offers the most cost-effective and reliable alternative for read/write random access nonvolatile memory. The 28F010 adds electrical chip-erasure and reprogramming to familiar EPROM technology. Memory contents can be rewrit 文件：405.78 Kbytes 页数：30 Pages	Intel 英特尔	Intel
F28F010-120	文件：300 bytes Page：1 Pages	1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY	Intel 英特尔	Intel
IS28F010-120PL	文件：695.87 Kbytes Page：18 Pages	131,072 x 8 CMOS FLASH MEMORY 131,072 x 8 CMOS FLASH MEMORY 文件：695.87 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS28F010-120PLI	文件：695.87 Kbytes Page：18 Pages	131,072 x 8 CMOS FLASH MEMORY 131,072 x 8 CMOS FLASH MEMORY 文件：695.87 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS28F010-120T	文件：695.87 Kbytes Page：18 Pages	131,072 x 8 CMOS FLASH MEMORY 131,072 x 8 CMOS FLASH MEMORY 文件：695.87 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

更多F28F010-120供应商更新时间2025-10-6 15:36:00