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F25P03D3	文件：251.03 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement MOSFET Features VDS=-30V,ID=-25A RDS(ON)=9mΩ@VGS=-10V(Typ.) -5VLogicLevelContol 100UIStested MainApplications AutomotiveApplications HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Un-interruptiblePowerSupply	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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F25P03D3

文件：251.03 Kbytes

Page：5 Pages

P-Channel Enhancement MOSFET

Features VDS=-30V,ID=-25A RDS(ON)=9mΩ@VGS=-10V(Typ.) -5VLogicLevelContol 100UIStested MainApplications AutomotiveApplications HardSwitchedandHighFrequencyCircuits Un-interruptiblePowerSupply

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