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F1763NBGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）带封装/外壳：20-WQFN 裸露焊盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频混频器描述：IC DPD MIXER BICMOS VFQFPN	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IDTF1763NBGI8	文件：1.18438 Mbytes Page：25 Pages	IdealforMulti-CarrierSystems FEATURES IdealforMulti-CarrierSystems LowsideorHighsideLO 11.7dBGain Ultralinear+45dBmIP3OusingHSLOor +42dBmIP3OusingLSLO 9.7dBNF 200Ωoutputimpedance WideflatperformanceIFBW DrivesADCdirectlyforDPDapplications LowPowerConsumption 5x5	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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F1763NBGI8

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包装：卷带（TR）带封装/外壳：20-WQFN 裸露焊盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频混频器描述：IC DPD MIXER BICMOS VFQFPN

RENESASRenesas Electronics America

瑞萨瑞萨科技有限公司

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IDTF1763NBGI8

文件：1.18438 Mbytes

Page：25 Pages

IdealforMulti-CarrierSystems

FEATURES IdealforMulti-CarrierSystems LowsideorHighsideLO 11.7dBGain Ultralinear+45dBmIP3OusingHSLOor +42dBmIP3OusingLSLO 9.7dBNF 200Ωoutputimpedance WideflatperformanceIFBW DrivesADCdirectlyforDPDapplications LowPowerConsumption 5x5

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产品属性

产品编号：
F1763NBGI8
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频混频器
包装：
卷带（TR）带
频率：
2.3GHz ~ 2.7GHz
增益：
12.2dB
噪声系数：
10.9dB
电流 - 供电：
200mA
电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
20-WQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
20-QFN（5x5）
描述：
IC DPD MIXER BICMOS VFQFPN

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更多F1763NBGI8供应商更新时间2024-5-1 8:39:00

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