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F16860	文件：3.90011 Mbytes Page：6 Pages	~145째 100째 extra wide beam for uplighting	LEDILLEDiL 莱迪尔莱迪尔公司	LEDIL
F16860_LINDA-UP	文件：300 bytes Page：1 Pages	光电附件;	LEDiLLEDiL 莱迪尔莱迪尔公司	LEDiL
F16860_LINDA-UP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘类别：光电器件光学 - 镜头描述：EXTRUSION MM (D)	LEDILLEDiL 莱迪尔莱迪尔公司	LEDIL
HFMD1686	文件：111.38 Kbytes Page：1 Pages	PAINTEDTEXTUREDGRAYRAL7035	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HFMD1686	文件：171.84 Kbytes Page：4 Pages	Armoireautoportantemodulairepoursectionneurenacier	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HME1686	文件：111.02 Kbytes Page：1 Pages	PAINTEDTEXTUREDGRAYRAL7035	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HME1686	文件：174.16 Kbytes Page：4 Pages	Armoireautoportantemodulaireenacierdouxdetype12	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
HWF1686NC	文件：108.64 Kbytes Page：3 Pages	L-BandPowerFETNon-ViaHoleChip Description DesignedforvariousRFandMicrowaveapplications,theHWF1686NCisamediumpowerGaAsMESFETchipwith2mmgatewidthand0.7µmgatelength. Features ●OutputPower:P1dB=30dBm(typ.) ●HighGain:GL=15dB(typ.) ●HighEfficiency:PAE=45(typ.) ●HighLinearity:IP3=45dBm(typ.	HWHexawave, Inc 汉威光电汉威光电股份有限公司	HW
HWF1686RA	文件：106.79 Kbytes Page：3 Pages	L-BandGaAsPowerFET Description TheHWF1686RAisamediumpowerGaAsMESFETdesignedforvariousRFandMicrowaveapplications.Itispresentlyofferedinalowcost,surface-mountableceramicpackage. Features •OutputPower:P1dB=30dBm(typ.) •HighGain:GL=16Db(typ.) •HighEfficiency:PAE=45(typ.) •H	HWHexawave, Inc 汉威光电汉威光电股份有限公司	HW
HWF1686YC	文件：107.65 Kbytes Page：3 Pages	L-BandPowerFETViaHoleChip	HWHexawave, Inc 汉威光电汉威光电股份有限公司	HW

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