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INA159	文件：3.5537 Mbytes Page：48 Pages	INA592High-Precision,Wide-Bandwidthe-trim??DifferenceAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA159	文件：3.38368 Mbytes Page：47 Pages	INA597High-Precision,Wide-Bandwidthe-trim??DifferenceAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA159	文件：3.17466 Mbytes Page：33 Pages	INA823Precision,Low-Power,Wide-Supply(2.7-Vto36-V)InstrumentationAmplifier	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA159	文件：1.46741 Mbytes Page：28 Pages	INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithOptionalAttenuatingGain	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA159	文件：3.77433 Mbytes Page：52 Pages	INA851Precision,Low-Noise,FullyDifferentialOutputInstrumentationAmplifierWithAttenuatingGainandOutputClamping 1Features •Gainprogrammablefrom G=0.2to10,000byusingexternalresistor •Fullydifferentialoutputswithintegratedclamping •Lowoffsetvoltage:10μV(typ),35μV(max) •Lowoffsetdrift:0.1μV/°C(typ),0.3μV/°C(max) •Lowinputbiascurrent:5nA(typ) •Inputstagenoise	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA159	文件：449.34 Kbytes Page：19 Pages	Precision,Gainof0.2LevelTranslationDIFFERENCEAMPLIFIER FEATURES GAINOF0.2TOINTERFACE±10VSIGNALS TOSINGLE-SUPPLYADCs GAINACCURACY:±0.024%(max) WIDEBANDWIDTH:1.5MHz HIGHSLEWRATE:15V/μs LOWOFFSETVOLTAGE:±100μV LOWOFFSETDRIFT:±1.5μV/°C SINGLE-SUPPLYOPERATIONDOWNTO1.8V APPLICATIONS INDUSTRIALPROCESSCONTROLS INST	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
INA159AIDGKR	文件：246.68 Kbytes Page：14 Pages	Precision,Gainof0.2LevelTranslationDIFFERENCEAMPLIFIER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
INA159AIDGKR	文件：605.05 Kbytes Page：17 Pages	Precision,Gainof0.2LevelTranslation	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA159AIDGKR	文件：640.04 Kbytes Page：18 Pages	Precision,Gainof0.2LevelTranslationDIFFERENCEAMPLIFIER	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
INA159AIDGKR	文件：449.34 Kbytes Page：19 Pages	Precision,Gainof0.2LevelTranslationDIFFERENCEAMPLIFIER FEATURES GAINOF0.2TOINTERFACE±10VSIGNALS TOSINGLE-SUPPLYADCs GAINACCURACY:±0.024%(max) WIDEBANDWIDTH:1.5MHz HIGHSLEWRATE:15V/μs LOWOFFSETVOLTAGE:±100μV LOWOFFSETDRIFT:±1.5μV/°C SINGLE-SUPPLYOPERATIONDOWNTO1.8V APPLICATIONS INDUSTRIALPROCESSCONTROLS INST	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2

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产品属性

产品编号：
F159VEVBN
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
开发板，套件，编程器 > 射频评估和开发套件，开发板
包装：
散装
类型：
发射器
频率：
450MHz ~ 2.8GHz
配套使用/相关产品：
F159V
所含物品：
板
描述：
BOARD

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