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F1423NBGI	文件：2.6636 Mbytes Page：26 Pages	TX Differential Input RF Amplifier	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
F1423NBGI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-WFQFN 裸露焊盘；包装：托盘类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP LTE 600MHZ-3GHZ 24TQFN	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
F1423NBGI8	文件：4.83085 Mbytes Page：27 Pages	TX Differential Input RF Amplifier 600 MHz to 3000 MHz	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F1423NBGI8	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：24-WFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：VFQFPN 4.00X4.00X0.80 MM, 0.50MM	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
G1423	文件：91.93 Kbytes Page：1 Pages	RubberGrommets	HeycoHeyco. 海科	Heyco
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G1423	文件：81.31 Kbytes Page：2 Pages	HeycoRubberGrommets	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
H1423	文件：105.47 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONTRANSISTOR GENERALPURPOSEAMPLIFIERANDLOWNOISE AMPLIFIERAPPLICATIONS	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司	Huashan
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KTB1423	文件：448.91 Kbytes Page：2 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

产品属性

产品编号：
F1423NBGI
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
托盘
频率：
600MHz ~ 3GHz
P1dB：
21.4dBm
增益：
12.6dB
噪声系数：
5.8dB
射频类型：
LTE，WiMax
电压 - 供电：
3.15V ~ 5.25V
电流 - 供电：
120mA
测试频率：
2.2GHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
24-WFQFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
24-VFQFPN（4x4）
描述：
IC RF AMP LTE 600MHZ-3GHZ 24TQFN

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