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F1235R12KT4GBOSA1数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF
| 厂商型号 |
F1235R12KT4GBOSA1 |
| 参数属性 | F1235R12KT4GBOSA1 封装/外壳为模块；包装为托盘托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块；产品描述：IGBT MOD 1200V 35A 210W |
| 功能描述 | IGBT F1235R12KT4GBOSA1 |
| 封装外壳 | 模块 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 16:16:00 |
| 人工找货 | F1235R12KT4GBOSA1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
F1235R12KT4GBOSA1规格书详情
简介
F1235R12KT4GBOSA1属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的F1235R12KT4GBOSA1晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
：F1235R12KT4GBOSA1
- 生产厂家
：Infineon
- 配置
：单一
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：1200V
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：35A
- 功率 - 最大值
：210W
- 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
：2.15V @ 15V，35A
- 电流 - 集电极截止（最大值）
：1mA
- 不同 Vce 时的输入电容（Cies）
：2nF @ 25V
- 输入
：标准
- NTC 热敏电阻
：无
- 工作温度
：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型
：底座安装
- 封装/外壳
：模块
- 供应商器件封装
：模块
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Mechatronics |
25+ |
电联咨询 |
7800 |
公司现货,提供拆样技术支持 |
询价 | ||
MECHATRONICS |
23+ |
FAN |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
MECHATRONIX |
新 |
32 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
Infineon |
22+ |
Module |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
25+ |
模块 |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
Module |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
Module |
7000 |
询价 | |||
Infineon |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Infineon |
2405+ |
原厂封装 |
5000 |
15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83273105邹小姐 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 |
