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F1008中文资料PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR数据手册Polyfet RF Devices规格书

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厂商型号

F1008

参数属性

F1008 包装为散装;类别为传感器变送器的位置传感器-角度、线性位置测量;产品描述:POS TRANS-ELEMENT \u0026 BRACKET ASSY

功能描述

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR

制造商

Polyfet RF Devices Polyfet RF Devices

数据手册

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更新时间

2025-9-22 18:11:00

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F1008规格书详情

描述 Description

General Description
Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others.
\"Polyfet\" process features gold metal for greatly extended lifetime. Low output capacitance and high F enhance broadband performance

技术参数

  • 产品编号:

    F10088164

  • 制造商:

    Honeywell Sensing and Productivity Solutions

  • 类别:

    传感器,变送器 > 位置传感器 - 角度、线性位置测量

  • 包装:

    散装

  • 描述:

    POS TRANS-ELEMENT \u0026 BRACKET ASSY

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