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G108EI	文件：180.93 Kbytes Page：2 Pages	LowCost,1WMiniDIPHighIsolationDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
G108EI	文件：181.9 Kbytes Page：2 Pages	G100EISERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
GBP108	文件：166.45 Kbytes Page：2 Pages	SiliconBridgeRectifiers	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
GBP108	文件：156.95 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	DSK Diode Semiconductor Korea	DSK
GBPC108	文件：83.85 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER ReverseVoltage-50to1000VoltsForwardCurrent-3.0Amperes FEATURES ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability Classification94V-0 ♦ThisseriesisULlistedunderRecognizedComponentIndex, filenumberE54214 ♦Glasspassivatedchipjunctions ♦Highcasediele	GE GE Industrial Company	GE
GBPC108	文件：98.64 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifier FEATURES •ULrecognition,filenumberE54214 •Idealforprintedcircuitboards •TypicalIRlessthan0.1μA •Highcasedielectricstrength •Highsurgecurrentcapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance please	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GBPC108	文件：68.16 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSINGLE-PHASEBRIDGERECTIFIER FEATURES ●Plasticpackagehasunderwriterslaboratory ●Flammabilityclassification94V-0 ●Glasspassivatedshipjunction ●Highcasedielectricwithstandingvoltageof1500VRMS ●TyoicalIRlessthan0.1μA ●Highsurgecurrentcapability ●Idealforprintedcircuitboards ●Hightemper	MICMIC GROUP RECTIFIERS 昌福电子昌福电子有限公司	MIC
GBPC108	文件：208.19 Kbytes Page：4 Pages	3.0AGlassPassivatedBridgeRectifier 3.0AGlassPassivatedBridgeRectifier Features •Glasspassivatedchipjunction •Highcasedielectricstrength1500VRMS •TypicalIRlessthan0.1µA •Highsurgecurrentcapability •Idealforprintedcircuitboards •Hightemperaturesolderingguaranteed:260˚C/10seconds 0.375”(9.	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
GBPC108	文件：76.83 Kbytes Page：4 Pages	GlassPassivatedSingle-PhaseBridgeRectifier FEATURES •ULrecognition,filenumberE54214 •Idealforprintedcircuitboards •TypicalIRlessthan0.1μA •Highcasedielectricstrength •Highsurgecurrentcapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
GIBT108	文件：142.14 Kbytes Page：2 Pages	IndoortightbufferedbreakoutcableLSZHjacket8fMMOM1.CPRDca. ProductDescription IndoortightbufferedbreakoutcablewithLowSmokeZeroHalogenouterjacket.8fibersMMOM1.CPREuroclassDca.	BELDENBelden Inc. 百通电缆设计科技有限公司	BELDEN

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深圳市易讯博科技有限公司	EWM-C109F6G1E	Advantech	22+	NA	6878	加我QQ或微信咨询更多详细信息,	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	EWMF2	Hoffman	2020+	N/A	8	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
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