EVAL-1ED3122MX12H中文资料1ED3122MX12H 评估板 - 2300 V、10 A、5.7 kV (rms) 单通道隔离栅极驱动器数据手册Infineon规格书

描述 Description

EVAL-1ED3122MX12H 采用半桥配置，配备用于 IGBT 和 SiC MOSFET 的 1ED3122MU12H 栅极驱动器 IC，以及 TRENCHSTOP ™ IGBT IKQ75N120CH3。它包括一个用于隔离过流反馈的附加栅极驱动器 IC，非常适合双脉冲测试。1ED3122MU12H 在宽电源电压范围（单极或双极）内提供有源米勒钳位、稳定时序、有源关断和短路钳位。

特性 Features

• 单通道隔离栅极驱动器

• 适用于 < 2300 V IGBT、SiC 和 Si MOSFET

• 2300 V 功能。失调电压能够

• 电气隔离

• 10 A 典型值吸收和源峰值输出。
• 绝对最大值 40 V。输出电压

• 90 ns 传播延迟

• 高 CMTI >200 kV/μs

• 有源米勒钳位

• 短路钳位

• DSO-8 300 mil 宽体封装

• 8 V/10 V UVLO 保护

应用 Application

• 马达控制