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EVAL-1ED3121MX12H中文资料1ED3121MX12H 评估板 - 2300 V、5.5 A、5.7 kV (rms) 单通道隔离栅极驱动器数据手册Infineon规格书
EVAL-1ED3121MX12H规格书详情
描述 Description
EVAL-1ED3121MX12H 采用半桥配置，带有用于 IGBT 和 SiC MOSFET 的 1ED3121MU12H 栅极驱动器 IC。它包括 TRENCHSTOP ™ IGBT IKQ75N120CH3 和用于隔离过流反馈的附加栅极驱动器 IC。1ED3121MU12H 非常适合双脉冲测试，可在宽电源电压范围内提供独立的灌电流和源电流输出、稳定的时序、主动关断和短路钳位。
特性 Features
• 单通道隔离栅极驱动器
• 适用于 < 2300 V IGBT、SiC 和 Si MOSFET
• 2300 V 功能。失调电压能够
• 电气隔离
• 5.5典型的接收器和源峰值输出。
• 90 ns 传播延迟
• 高 CMTI >200 kV/μs
• 独立的源极和漏极输出
• 短路钳位
• DSO-8 300 mil 宽体封装
• 10.5V/12.5V UVLO 保护
应用 Application
• 马达控制
技术参数
- 制造商编号
：EVAL-1ED3121MX12H
- 生产厂家
：Infineon
- Product Name
：EVAL-1ED3121MX12H
- Supply Voltage
：16 V
- Sub Application
：Server
- Topology
：Half Bridge
- Target Application
：Solar Energy Systems
- Family
：Gate Driver
- Qualification
：Industrial
- Input Type
：DC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Cypress Semiconductor |
2025+ |
13566 |
询价 | ||||
INFINEON |
24+ |
con |
10000 |
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Infineon Technologies |
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原装 |
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INFINEON |
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INFINEON |
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