ESM6045DV中文资料NPN DARLINGTON POWER MODULE数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
ESM6045DV |
| 参数属性 | ESM6045DV 封装/外壳为ISOTOP；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 450V 84A ISOTOP |
| 功能描述 | NPN DARLINGTON POWER MODULE |
| 封装外壳 | ISOTOP |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 12:00:00 |
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ESM6045DV规格书详情
特性 Features
LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE
EASY TO MOUNT
HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE
SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS
VERY LOW R
th JUNCTION CASE
FULLY INSULATED PACKAGE (UL COMPLIANT)
ULTRAFAST FREEWHEELING DIODE
简介
ESM6045DV属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的ESM6045DV晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
ESM6045DV
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.35V @ 4A，70A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
120 @ 70A，5V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
ISOTOP
- 供应商器件封装：
ISOTOP®
- 描述：
TRANS NPN DARL 450V 84A ISOTOP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
2511 |
5904 |
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询价 | |||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
2023+ |
MODULE |
675 |
主打螺丝模块系列 |
询价 | ||
ST |
2018 |
模块 |
300 |
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ST |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
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ST |
24+ |
module |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
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ST |
23+ |
模块 |
3000 |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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ST |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
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ST |
23+ |
IGBT |
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专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
ST |
2025+ |
ISOTOP |
32560 |
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