ESM3030DV数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
ESM3030DV |
| 参数属性 | ESM3030DV 封装/外壳为SOT-227-4，miniBLOC；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP |
| 功能描述 | NPN DARLINGTON POWER MODULE |
| 封装外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 22:30:00 |
| 人工找货 | ESM3030DV价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
ESM3030DV规格书详情
特性 Features
LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE
EASY TO MOUNT
HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE
SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS
VERY LOW R
th JUNCTION CASE
FULLY INSULATED PACKAGE (UL COMPLIANT)
ULTRAFAST FREEWHEELING DIODE
简介
ESM3030DV属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的ESM3030DV晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
ESM3030DV
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 2.4A，85A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 85A，5V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商器件封装：
ISOTOP®
- 描述：
TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
module |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
询价 | ||
ST |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
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ST(意法) |
23+ |
NA |
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ST |
23+ |
MODULE |
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ST/意法 |
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ST |
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模块 |
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ST |
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模块 |
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ST |
24+ |
ISOTOP |
190 |
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原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
询价 | ||
ST/意法 |
2023+ |
MODULE |
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主打螺丝模块系列 |
询价 |
