ESM3030DV分立半导体产品晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
ESM3030DV |
| 参数属性 | ESM3030DV 封装/外壳为SOT-227-4，miniBLOC；包装为散装；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP |
| 功能描述 | NPN DARLINGTON POWER MODULE |
| 文件大小 |
115.94 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | STMicroelectronics |
| 企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
| 中文名称 | 意法半导体（ST）集团官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-17 22:30:00 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
ESM3030DV三极管、ESM3030DV晶体管、ESM3030DV晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
功率放大 （L）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
300V
- 最大电流允许值：
100A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
4
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
225W
- 放大倍数：
- 图片代号：
G-54
- vtest：
300
- htest：
999900
- atest：
100
- wtest：
225
ESM3030DV规格书详情
ESM3030DV属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。意法半导体（ST）集团制造生产的ESM3030DV晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
产品属性
- 产品编号：
ESM3030DV
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 2.4A，85A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 85A，5V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
SOT-227-4，miniBLOC
- 供应商器件封装：
ISOTOP®
- 描述：
TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2018+ |
module |
6000 |
全新原装正品现货,假一赔佰 |
询价 | ||
ST |
专业模块 |
MODULE |
8513 |
模块原装主营-可开原型号增税票 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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22+ |
NA |
3000 |
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STMicroelectronics |
2022 |
ISOTOP? |
58 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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ST |
23+ |
模块 |
3562 |
询价 | |||
ST/意法 |
22+ |
NA |
1120 |
中国航天工业部战略合作伙伴行业领导者 |
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原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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STMicroel |
SOT-227-4 |
10265 |
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STMicroelectronics |
18+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应QQ3171516190 |
询价 |
