ESM3030DV分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

厂商型号 |
ESM3030DV |
参数属性 | ESM3030DV 封装/外壳为SOT-227-4,miniBLOC;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP |
功能描述 | NPN DARLINGTON POWER MODULE |
封装外壳 | SOT-227-4,miniBLOC |
文件大小 |
392.54 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-1 22:30:00 |
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ESM3030DV规格书详情
ESM3030DV属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由意法半导体集团制造生产的ESM3030DV晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
产品属性
更多- 产品编号:
ESM3030DV
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1.5V @ 2.4A,85A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
300 @ 85A,5V
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
底座安装
- 封装/外壳:
SOT-227-4,miniBLOC
- 供应商器件封装:
ISOTOP®
- 描述:
TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
24+ |
module |
6000 |
全新原装正品现货 假一赔佰 |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST/意法 |
12+ |
MODULE |
1290 |
主打模块,大量现货供应商QQ2355605126 |
询价 | ||
ST |
2018 |
模块 |
300 |
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原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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ST |
24+ |
ISOTOP |
190 |
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ST |
23+ |
模块 |
360 |
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ST |
23+ |
模块 |
3562 |
询价 | |||
ST/意法 |
2023+ |
MODULE |
226 |
主打螺丝模块系列 |
询价 | ||
ST |
23+ |
模块 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 |