ESM2030DV中文资料NPN DARLINGTON POWER MODULE数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
ESM2030DV |
| 参数属性 | ESM2030DV 封装/外壳为ISOTOP；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN DARL 300V 67A ISOTOP |
| 功能描述 | NPN DARLINGTON POWER MODULE |
| 封装外壳 | ISOTOP |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-10-8 10:09:00 |
| 人工找货 | ESM2030DV价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
ESM2030DV三极管、ESM2030DV晶体管、ESM2030DV晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
功率放大 （L）
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
300V
- 最大电流允许值：
67A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
4
- 可代换的型号：
- 最大耗散功率：
150W
- 放大倍数：
- 图片代号：
G-54
- vtest：
300
- htest：
999900
- atest：
67
- wtest：
150
ESM2030DV规格书详情
简介
ESM2030DV属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由ST制造生产的ESM2030DV晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号：
ESM2030DV
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 1.6A，56A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 56A，5V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
ISOTOP
- 供应商器件封装：
ISOTOP®
- 描述：
TRANS NPN DARL 300V 67A ISOTOP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
22+ |
NA |
3000 |
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