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ESDSLC3V3LB-TP

Package:0402(1006 公制);包装:卷带(TR) 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 3.3VWM 20VC 2DFN1006

MCC

ESDSUC3V3BS

Ultra Low Capacitance ESD

Features ■ μs) ■ ■ ■ R2R + Zener technology ■ Low clamping voltage ■ Low leakage current ■ Ultra low capacitance (Cj=0.3pF typ.) ■ Protection one data/power line to: IEC 61000-4-2 ±10kV contact ±18kV air IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) IEC 61000-4-5 (Lightning) 3A (8/20μs) ■ RoHS comp

文件:1.42438 Mbytes 页数:3 Pages

GWSEMI

唯圣电子

FBU3V3DS

Plastic-Encapsulate Diodes

DESCRIPTION Designed to protect voltage sensitive electronic components from ESD and other transients. Excellent clamping capability, low leakage, low capacitance, and fast response time provide best in class protection on designs that are exposed to ESD. The combination of small size, low cap

文件:731.77 Kbytes 页数:4 Pages

GWSEMI

唯圣电子

FESD3V3A

Chip TVS Diode

文件:576.35 Kbytes 页数:1 Pages

FUTUREWAFER

产品属性

  • 产品编号:

    ESDSLC3V3LB-TP

  • 制造商:

    Micro Commercial Co

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    3.3V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    5V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    20V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    5A(8/20µs)

  • 功率 - 峰值脉冲:

    100W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    0.25pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0402(1006 公制)

  • 供应商器件封装:

    2-DFN1006

  • 描述:

    TVS DIODE 3.3VWM 20VC 2DFN1006

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Micro
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更多ESDSLC3V3LB-TP供应商 更新时间2025-10-11 10:19:00