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ESDM1131MX4T5G	文件：314.7 Kbytes Page：7 Pages	3.3 V ESD Protection Diodes 文件：314.7 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ESDM1131MX4T5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：01005（0402 公制）；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 3.3VWM 5.6VC 2X4DFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ESDZV5-1BU2	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	ST 上传：深圳市英博尔电子有限公司	ST
ESE-13H01B	文件：0 bytes Page：0 Pages	开关	松下上传：深圳市莱克讯科技有限公司	松下
ESE-13H01D	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	PANASONIC/松下上传：深圳市科雨电子有限公司	PANASONIC/松下

产品属性

产品编号：
ESDM1131MX4T5G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
3.3V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
5.6V（标准）
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
4pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
01005（0402 公制）
供应商器件封装：
2-X4DFN（0.45x0.24）
描述：
TVS DIODE 3.3VWM 5.6VC 2X4DFN

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