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ESDL4151MX4T5G

ESD and Surge Protection Device, Bidirectional, 15 V Micro?뭁ackaged Diodes for ESD Protection

文件:339.53 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESDL4151MX4T5G-TP

Low Capacitance Bi-directional ESD DIODE

Features o Low operating voltage: 15V « Ultra low capacitance: 0.7pF Ultra low leakage: nA level o Low clamping voltage o —IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: +15kV' Contact discharge: +15kV —IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) —IEC61000-4-5 (Lightning) 5A (8/20ps)

文件:2.52866 Mbytes 页数:4 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

ESDL4151MX4T5G

Package:0402(1006 公制);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 15VWM 26VC 2X3DFN

ONSEMI

安森美半导体

ESDZV5-1BU2

SMD

ST

ESE-13H01B

开关

松下

产品属性

  • 产品编号:

    ESDL4151MX4T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    15V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    15.5V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    26V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    47.5A(8/20µs)

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    USB 2.0,USB 3.0

  • 不同频率时电容:

    0.8pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0402(1006 公制)

  • 供应商器件封装:

    2-X3DFN(1x0.6)

  • 描述:

    TVS DIODE 15VWM 26VC 2X3DFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多ESDL4151MX4T5G供应商 更新时间2025-12-10 23:00:00