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ESDL2012MX4T5G

ESD Protection Diode Micro?뭁ackaged Diodes for ESD Protection

The ESDL2012 is designed to protect voltage sensitive components that require low capacitance from ESD and transient voltage events. Excellent clamping capability, low capacitance, low leakage, and fast response time, make these parts ideal for ESD protection on designs where board space is at

文件:207.34 Kbytes 页数:7 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESDL2012MX4T5G

Package:0201(0603 公制);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 1VWM 5.2VC 2DFN

ONSEMI

安森美半导体

ESDZV5-1BU2

ST
SMD

ST

ESE-13H01B

松下
开关

松下

ESE-13H01D

PANASONIC/松下
SMD

PANASONIC/松下

上传:深圳市科雨电子有限公司

PANASONIC/松下

产品属性

  • 产品编号:

    ESDL2012MX4T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    1V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    1.4V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    5.2V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    8A

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    USB

  • 不同频率时电容:

    0.18pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0201(0603 公制)

  • 供应商器件封装:

    2-DFN(0.6x0.3)

  • 描述:

    TVS DIODE 1VWM 5.2VC 2DFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多ESDL2012MX4T5G供应商 更新时间2025-10-9 9:57:00