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ESDL2012MX4T5G

ESD Protection Diode Micro?뭁ackaged Diodes for ESD Protection

TheESDL2012isdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponents thatrequirelowcapacitancefromESDandtransientvoltageevents. Excellentclampingcapability,lowcapacitance,lowleakage,andfast responsetime,makethesepartsidealforESDprotectionondesigns whereboardspaceisat

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ESDL2012MX4T5G

Package:0201(0603 公制);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 1VWM 5.2VC 2DFN

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    ESDL2012MX4T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    1V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    1.4V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    5.2V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    8A

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    USB

  • 不同频率时电容:

    0.18pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0201(0603 公制)

  • 供应商器件封装:

    2-DFN(0.6x0.3)

  • 描述:

    TVS DIODE 1VWM 5.2VC 2DFN

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更多ESDL2012MX4T5G供应商 更新时间2025-5-22 23:00:00