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ESDL2012MX4T5G	文件：207.34 Kbytes Page：7 Pages	ESD Protection Diode Micro?뭁ackaged Diodes for ESD Protection TheESDL2012isdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponents thatrequirelowcapacitancefromESDandtransientvoltageevents. Excellentclampingcapability,lowcapacitance,lowleakage,andfast responsetime,makethesepartsidealforESDprotectionondesigns whereboardspaceisat	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ESDL2012MX4T5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0201（0603 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 1VWM 5.2VC 2DFN	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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ESDL2012MX4T5G

文件：207.34 Kbytes

Page：7 Pages

ESD Protection Diode Micro?뭁ackaged Diodes for ESD Protection

TheESDL2012isdesignedtoprotectvoltagesensitivecomponents thatrequirelowcapacitancefromESDandtransientvoltageevents. Excellentclampingcapability,lowcapacitance,lowleakage,andfast responsetime,makethesepartsidealforESDprotectionondesigns whereboardspaceisat

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

ESDL2012MX4T5G

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：0201（0603 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 1VWM 5.2VC 2DFN

ONSEMION Semiconductor

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ONSEMI

产品属性

产品编号：
ESDL2012MX4T5G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
1V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
1.4V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
5.2V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
8A
电源线路保护：
无
应用：
USB
不同频率时电容：
0.18pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0201（0603 公制）
供应商器件封装：
2-DFN（0.6x0.3）
描述：
TVS DIODE 1VWM 5.2VC 2DFN

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更多ESDL2012MX4T5G供应商更新时间2025-7-23 23:00:00

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