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ESDL2012数据手册电路保护的TVS-二极管规格书PDF

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厂商型号

ESDL2012

参数属性

ESDL2012 封装/外壳为0201(0603 公制);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;ESDL2012应用范围:USB;产品描述:TVS DIODE 1VWM 5.2VC 2DFN

功能描述

Extremely Low Voltage, Bidirectional ESD Protection Device in 0201 form factor featuring ultra low insertion loss for Thunderbolt, USB 3.x and PCIe
TVS DIODE 1VWM 5.2VC 2DFN

封装外壳

0201(0603 公制)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 12:00:00

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ESDL2012规格书详情

描述 Description

The ESDL2012 is designed to protect voltage sensitive components that require low capacitance from ESD and transient voltage events. Excellent clamping capability, low capacitance, low leakage, and fast response time, make these parts ideal for ESD protection on designs where board space is at a premium. Because of its low capacitance, the part is well suited for use in high speed data line applications.

特性 Features

• Low Insertion Loss (<0.5 dBs @ 20 GHz)
• Low Clamping Voltage
• X4DFN (0201 - 0.6 x 0.3 mm) package
• Stand−off Voltage: 1.0 V
• IEC61000−4−2 Level 4 ESD Protection
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant

应用 Application

USB 3.x & 4.0 Tx/Rx Data Line Pairs Thunderbolt 3.0 Data Line Pairs PCIe 3.x & 4.0 Data Lines

简介

ESDL2012属于电路保护的TVS-二极管。由制造生产的ESDL2012TVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    ESDL2012MX4T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    1V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    1.4V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    5.2V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    8A

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    USB

  • 不同频率时电容:

    0.18pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    0201(0603 公制)

  • 供应商器件封装:

    2-DFN(0.6x0.3)

  • 描述:

    TVS DIODE 1VWM 5.2VC 2DFN

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