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ESDA8V2-1MX2中文资料EOS and ESD Transil\" protection for charger and battery port数据手册ST规格书

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厂商型号

ESDA8V2-1MX2

参数属性

ESDA8V2-1MX2 封装/外壳为2-UFDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;ESDA8V2-1MX2应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 5VWM 18.5VC 2UQFN

功能描述

EOS and ESD Transil\" protection for charger and battery port
TVS DIODE 5VWM 18.5VC 2UQFN

封装外壳

2-UFDFN

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-11-25 23:00:00

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ESDA8V2-1MX2规格书详情

特性 Features

• RoHS compliant
• Complies with the following standards:IEC 61000-4-2 level 4±15 kV (air discharge)±8 kV (contact discharge)MIL STD 883G - Method 3015-7: class 3BHBM (human body model): ≥8kV
• High peak power dissipation: 500 W (8/20 μs waveform)
• Unidirectional device
• BenefitsHigh EOS and ESD protection levelHigh integrationSuitable for high density boardsTiny package
• ESD protection level better than IEC 61000-4-2, level 4: 30 kV contact discharge

简介

ESDA8V2-1MX2属于电路保护的TVS-二极管。由ST制造生产的ESDA8V2-1MX2TVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    ESDA8V2-1MX2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 系列:

    ESDA, TRANSIL™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    5V

  • 电压 - 击穿(最小值):

    8.2V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    18.5V

  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs):

    27A(8/20µs)

  • 功率 - 峰值脉冲:

    500W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    350pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    2-UFDFN

  • 供应商器件封装:

    2-µQFN(1.45x1.0)

  • 描述:

    TVS DIODE 5VWM 18.5VC 2UQFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
24+
NA/
6150
原装现货,当天可交货,原型号开票
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