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ESD7571N2T5G	文件：372.42 Kbytes Page：8 Pages	Micro−Packaged Diodes for ESD Protection Features  Industry Leading Capacitance Linearity Over Voltage  Ultra−Low Capacitance: 0.35 pF Max  Stand−off Voltage: 5.3 V  Low Leakage: 文件：372.42 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ESD7571N2T5G	文件：132.74 Kbytes Page：6 Pages	Ultra-Low Capacitance ESD Protection 文件：132.74 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ESD7571N2T5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-XDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5.3VWM 15VC 2X2DFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SESD7571N2T5G	文件：372.42 Kbytes Page：8 Pages	Micro−Packaged Diodes for ESD Protection Features  Industry Leading Capacitance Linearity Over Voltage  Ultra−Low Capacitance: 0.35 pF Max  Stand−off Voltage: 5.3 V  Low Leakage: 文件：372.42 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
ESD7571N2T5G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
5.3V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
7V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
15V
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
0.24pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
2-XDFN
供应商器件封装：
2-X2DFN（1x0.6）
描述：
TVS DIODE 5.3VWM 15VC 2X2DFN

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