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ESD7551N2T5G

丝印:3B;Package:DFN1006;1-CHANNEL ULTRA LOW CAPACITANCE ESD DIODE

Features Ultra low leakage: nA level Operating voltage: 3.3 V Low clamping voltage Complies with following standards: – IEC 61000-4-2 (ESD) immunity test Air discharge: ±25kV Contact discharge: ±20kV – IEC61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) – IEC61000-4-5 (Lightning) 4A (8/20 μs) RoHS Complia

文件:336.19 Kbytes 页数:4 Pages

LEIDITECH

雷卯电子

ESD7551N2T5G

ESD Protection Diodes

文件:71.56 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

ESD7551N2T5G

Package:2-XDFN;包装:卷带(TR) 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 3.3VWM 13VC 2X2DFN

ONSEMI

安森美半导体

SZESD7551N2T5G

ESD Protection Diodes

文件:71.56 Kbytes 页数:5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

产品属性

  • 产品编号:

    ESD7551N2T5G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 类型:

    齐纳

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    3.3V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    5V

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值):

    13V

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    通用

  • 不同频率时电容:

    0.25pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    2-XDFN

  • 供应商器件封装:

    2-X2DFN(1x0.6)

  • 描述:

    TVS DIODE 3.3VWM 13VC 2X2DFN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多ESD7551N2T5G供应商 更新时间2025-12-13 19:07:00