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ESD7551N2T5G	文件：336.19 Kbytes Page：4 Pages	1-CHANNEL ULTRA LOW CAPACITANCE ESD DIODE Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:3.3V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±25kV Contactdischarge:±20kV –IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(Lightning)4A(8/20μs) RoHSComplia	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司
ESD7551N2T5G	文件：71.56 Kbytes Page：5 Pages	ESD Protection Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
ESD7551N2T5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：2-XDFN 类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 3.3VWM 13VC 2X2DFN	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
SZESD7551N2T5G	文件：71.56 Kbytes Page：5 Pages	ESDProtectionDiodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司

产品属性

产品编号：
ESD7551N2T5G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
3.3V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
5V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
13V
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
0.25pF @ 1MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
2-XDFN
供应商器件封装：
2-X2DFN（1x0.6）
描述：
TVS DIODE 3.3VWM 13VC 2X2DFN

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