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ESD5581MXT5G	文件：140.91 Kbytes Page：8 Pages	ESD Protection Diode 文件：140.91 Kbytes 页数：8 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ESD5581MXT5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0201（0603 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 5VWM 12VC 2X3DFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ESD5641D12-3/TR	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN2020-3	WILLASEMI 上传：深圳市华来深电子有限公司	WILLASEMI
ESD5B5.0ST1G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOD-523-2	onsemi(安森美) 上传：深圳市宝芯创电子有限公司	onsemi(安森美)
ESD5B5.0ST1G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOD523	ONSEMI/安森美上传：深圳市华高宇电子有限公司	ONSEMI/安森美

产品属性

产品编号：
ESD5581MXT5G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
5V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
5.2V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
12V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
6A（8/20µs）
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
10pF @ 1MHz（最大）
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0201（0603 公制）
供应商器件封装：
2-X3DFN（0.6x0.3）（0201）
描述：
TVS DIODE 5VWM 12VC 2X3DFN

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