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ESD5382MUT5G	文件：93.86 Kbytes Page：5 Pages	ESD Protection Diodes 文件：93.86 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ESD5382MUT5G	文件：88.36 Kbytes Page：5 Pages	ESD Protection Diodes 文件：88.36 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ESD5382MUT5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：0201（0603 公制）；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 3VWM 26VC 2X3DFN	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
ESD5451L	文件：0 bytes Page：0 Pages	DFN1006-2L	Slkor(萨科微上传：深圳市华康联电子科技有限公司	Slkor(萨科微
ESD5451R-2/TR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-5	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd. 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司上传：深圳安居芯科技有限公司	WILLSEMI

产品属性

产品编号：
ESD5382MUT5G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
3V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
14.2V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
26V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
1A（8/20µs）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0201（0603 公制）
供应商器件封装：
2-X3DFN（0.6x0.3）（0201）
描述：
TVS DIODE 3VWM 26VC 2X3DFN

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