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ESD5382MUT5G	文件：93.86 Kbytes Page：5 Pages	ESD Protection Diodes	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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ESD5382MUT5G	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：0201（0603 公制）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 3VWM 26VC 2X3DFN	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

产品属性

产品编号：
ESD5382MUT5G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
3V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
14.2V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
26V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
1A（8/20µs）
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
0201（0603 公制）
供应商器件封装：
2-X3DFN（0.6x0.3）（0201）
描述：
TVS DIODE 3VWM 26VC 2X3DFN

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