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ESD05V02D-HC	文件：324.95 Kbytes Page：3 Pages	Transient Voltage Suppressors for ESD Protection	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
ESD05V02D-LA	文件：2.71306 Mbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressorsforESDProtection Features 100Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) LowleakageCurrentandLowClampingVoltage ProtectsOnehighspeeddataLines Workingvoltage:5V RoHScompliant ESDprotectiontoIEC61000-4-2(ESD): ±15kV(airdischarge) ±10kV(contactdischarge) Applications CellPhoneHandsetsandAccessor	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
ESD05V02D-LA	文件：342.09 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressorsforESDProtection	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
ESD05V02D-LC	文件：2.46139 Mbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressorsforESDProtection Features BidirectionalESDProtectionofoneline; LowCapacitance0.5pF Lowclampingvoltage; UltrasmallSMDspecialpackages NominalDimensions:0.6x0.3x0.26mm ESDprotectiontoIEC61000-4-2(ESD): ±15kV(airdischarge) ±8kV(contactdischarge) Applications CellPhoneHandsetsandAc	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
ESD05V02D-LC	文件：334.07 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressorsforESDProtection	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
ESD05V02D-NC	文件：315.35 Kbytes Page：3 Pages	TransientVoltageSuppressorsforESDProtection	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
ESD05V02DS-A	文件：2.4667 Mbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressorsforESDProtection Features MoistureSensitivityLevel(MSL-1) AEC-Q101qualified UltrasmallSMDpackage UnidirectionalESDprotection Lowclampingvoltage Workingvoltage:5.0V Lowleakagecurrent Highcomponentdensity IEC61000-4-2(ESD):±30kV(airdischarge) ±30kV(contactdischarge); Applications C	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
ESD05V02DS-C	文件：2.47356 Mbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressorsforESDProtection Features MoistureSensitivityLevel(MSL-1) AEC-Q101qualified UltrasmallSMDpackage ProtectsOneBidirectionalI/Oline Lowclampingvoltage Workingvoltage:5.0V Lowleakagecurrent IEC61000-4-5LIGHTING)12A(8/20μs) IEC61000-4-2(ESD):±30kV(airdischarge) ±30kV(contactdischarge);	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
ESD05V02DS-CKN	文件：2.87204 Mbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressorsforESDProtection Features MoistureSensitivityLevel(MSL-1) AEC-Q101qualified UltrasmallSMDpackage ProtectsOneBidirectionalI/OLine LowClampingVoltage Workingvoltage:5.0V Lowleakagecurrent IEC61000-4-5(LIGHTING)3.5A(8/20μs) IEC61000-4-2(ESD):±17kV(airdischarge) ±15kV(contactdischarge);	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
ESD05V02DS-ULC	文件：2.85829 Mbytes Page：5 Pages	TransientVoltageSuppressorsforESDProtection Features MoistureSensitivityLevel(MSL-1) AEC-Q101qualified UltrasmallSMDpackage Ultra-Lowcapacitance ProtectsOneBidirectionalI/Oline Lowclampingvoltage Workingvoltage:5.0V Lowleakagecurrent IEC61000-4-2(ESD):±15kV(airdischarge) ±8kV(contactdischarge); Applications	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI

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