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ES35P40-75CC2Y

4Mbit CMOS 3.0 Volt Flash Memory with 75Mhz SPI Bus Interface

文件:435.02 Kbytes 页数:35 Pages

EXCELSEMI

优先半导体

ES35P40-75CG2R

4Mbit CMOS 3.0 Volt Flash Memory with 75Mhz SPI Bus Interface

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EXCELSEMI

优先半导体

ES35P40-75CG2T

4Mbit CMOS 3.0 Volt Flash Memory with 75Mhz SPI Bus Interface

文件:435.02 Kbytes 页数:35 Pages

EXCELSEMI

优先半导体

ES35P40-75CG2Y

4Mbit CMOS 3.0 Volt Flash Memory with 75Mhz SPI Bus Interface

文件:435.02 Kbytes 页数:35 Pages

EXCELSEMI

优先半导体

ES35P40-75IC2R

4Mbit CMOS 3.0 Volt Flash Memory with 75Mhz SPI Bus Interface

文件:435.02 Kbytes 页数:35 Pages

EXCELSEMI

优先半导体

ES35P40-75IC2T

4Mbit CMOS 3.0 Volt Flash Memory with 75Mhz SPI Bus Interface

文件:435.02 Kbytes 页数:35 Pages

EXCELSEMI

优先半导体

ES35P40-75IC2Y

4Mbit CMOS 3.0 Volt Flash Memory with 75Mhz SPI Bus Interface

文件:435.02 Kbytes 页数:35 Pages

EXCELSEMI

优先半导体

ES35P40-75IG2R

4Mbit CMOS 3.0 Volt Flash Memory with 75Mhz SPI Bus Interface

文件:435.02 Kbytes 页数:35 Pages

EXCELSEMI

优先半导体

ES35P40-75IG2T

4Mbit CMOS 3.0 Volt Flash Memory with 75Mhz SPI Bus Interface

文件:435.02 Kbytes 页数:35 Pages

EXCELSEMI

优先半导体

ES35P40-75IG2Y

4Mbit CMOS 3.0 Volt Flash Memory with 75Mhz SPI Bus Interface

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EXCELSEMI

优先半导体

产品属性

  • 产品编号:

    TPS259535DSGR

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 类别:

    集成电路(IC) > 电流调节/管理

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 功能:

    电子保险丝

  • 精度:

    ±7.5%

  • 电压 - 输入:

    2.7V ~ 18V

  • 电流 - 输出:

    4A

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-WFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-WSON(2x2)

  • 描述:

    IC PWR MGMT EFUSE 2.7-18V 8WSON

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TI
23+
WSON(DSG)-8
8000
TI优势物料,欢迎询价
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TI(德州仪器)
23+
原厂封装
32078
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业
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TI
23+
WSON(DSG)-8
57000
只做原装 支持实单 假一罚十
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Texas Instruments
24+
WSON-8
90000
原装现货实单必成
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TI
23+
WSON-8
30000
全新原装正品
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TI(德州仪器)
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WSON8
3000
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TI/德州仪器
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WSON-8
9900
原装正品假一罚十
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TI(德州仪器)
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WSON8
3000
正规渠道,只有原装!
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TI(德州仪器)
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WSON-8
16048
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
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TI(德州仪器)
24+
WSON8
12000
原装正品 假一罚十
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更多ES35供应商 更新时间2025-12-24 14:27:00