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ES1D-E3/5AT分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
ES1D-E3/5AT |
| 参数属性 | ES1D-E3/5AT 封装/外壳为DO-214AC，SMA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC |
| 功能描述 | Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier |
| 封装外壳 | DO-214AC，SMA |
| 文件大小 |
102.23 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Vishay Siliconix |
| 企业简称 |
VISHAY【威世科技】 |
| 中文名称 | 威世科技半导体官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 11:06:00 |
| 人工找货 | ES1D-E3/5AT价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
ES1D-E3/5AT规格书详情
FEATURES
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• Glass passivated chip junction
• Ultrafast recovery times for high efficiency
• Low forward voltage, low power losses
• High forward surge capability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C
• AEC-Q101 qualified
产品属性
- 产品编号：
ES1D-E3/5AT
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
1A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 不同 Vr、F 时电容：
10pF @ 4V，1MHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
DO-214AC，SMA
- 供应商器件封装：
DO-214AC（SMA）
- 工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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