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ADY-111-S/Q	文件：126.59 Kbytes Page：4 Pages	LimitAlarms(potentiometeradj.)A-UNIT	MSYSTEMM-System Co., Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
ADY-111-V	文件：126.59 Kbytes Page：4 Pages	LimitAlarms(potentiometeradj.)A-UNIT	MSYSTEMM-System Co., Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
ES111	文件：84.05 Kbytes Page：4 Pages	Electro-Wash짰NXNew&Improved!CleanerDegreaser	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
EW111	文件：749.07 Kbytes Page：1 Pages	1/8WATTMETAL	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
FC111	文件：55.12 Kbytes Page：2 Pages	PNPEpitaxialPlanarSiliconCompositeTransistorSwitchingApplications SwitchingApplications Features ·On-chipbiasresistors(R1=22kΩ,R2=22kΩ) ·Compositetypewith2transistorscontainedintheCPpackagecurrentlyinuse,improvingthemountingefficiencygreatly. ·TheFC111isformedwithtwochips,beingequivalenttothe2SA1342,placedinonepackage.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FIS111NL	文件：355.67 Kbytes Page：1 Pages	CurrentSenseInductors	pulse Pulse Electronics	pulse
FOX111	文件：47.86 Kbytes Page：1 Pages	STANDARDCRYSTALS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
FW111	文件：45.67 Kbytes Page：4 Pages	LoadS/WApplications LoadS/WApplications Features •2.5Vdrive. •LowONresistance.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
G111E	文件：183.98 Kbytes Page：2 Pages	LowCost,1WMiniDIPSingle&DualOutputDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
G111E	文件：249.37 Kbytes Page：2 Pages	G100ESeries	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
G111EI	文件：181.9 Kbytes Page：2 Pages	G100EISERIES	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
G111EI	文件：180.93 Kbytes Page：2 Pages	LowCost,1WMiniDIPHighIsolationDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
G111K	文件：366.25 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET Description TheG111Kutilizedadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistance,extremelyefficientandcost-effectivenessdevice. TheG111Kisuniversallyusedforallcommercial-industrialapplications. Features SimpleDriveRequirement SmallPackageOutline	GTM 勤益投資控股股份有限公司	GTM
G111K	文件：369.99 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司	ETL
G111R	文件：68.82 Kbytes Page：2 Pages	TightlyRegulated,1WUltra-MiniatureDIPDC/DCConverters	MPD MPD (Memory Protection Devices)	MPD
GT-111P	文件：209.48 Kbytes Page：5 Pages	THISSPECIFICATIONAPPLIESTOTHEELECTROMAGNETICBUZZER	SOBERTONSoberton Inc. Soberton Inc.	SOBERTON
GT-111P	文件：135.16 Kbytes Page：2 Pages	Non-WashableType	SOBERTONSoberton Inc. Soberton Inc.	SOBERTON
GT-111PS	文件：106.49 Kbytes Page：1 Pages	Non-WashableType	SOBERTONSoberton Inc. Soberton Inc.	SOBERTON
H.FL-DFS111A	文件：253.87 Kbytes Page：24 Pages	Others,machinetoolsandjigs	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE
H.FL-DFS111A/CR-AD	文件：253.87 Kbytes Page：24 Pages	Others,machinetoolsandjigs	HIROSEHirose Electric Company 广濑日本广濑电机株式会社	HIROSE

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产品属性

产品编号：
ERJ-XGNJ111Y
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
电阻器 > 片式电阻器 - 表面贴装
系列：
ERJ-XGN
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
容差：
±5%
功率 (W)：
0.03W，1/32W
成分：
厚膜
温度系数：
±200ppm/°C
工作温度：
-55°C ~ 125°C
封装/外壳：
01005（0402 公制）
供应商器件封装：
01005
大小 / 尺寸：
0.016" 长 x 0.008" 宽（0.40mm x 0.20mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.006"（0.15mm）
描述：
RES SMD 110 OHM 5% 1/32W 01005

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