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EMT2DXV6T5	文件：51.25 Kbytes Page：4 Pages	DualGeneralPurposeTransistor DualGeneralPurposeTransistor PNPDual Thistransistorisdesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.ItishousedintheSOT−563whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. •Lead−FreeSolderPlating •LowVCE(SAT),	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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DualNPNGeneralPurposeAmplifierTransistor

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详细参数

型号：
EMT2DXV6T5G
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 60V Dual PNP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多EMT2DXV6T5G供应商更新时间2025-5-3 10:34:00

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