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NP35N04YUG	文件：231 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP35N04YUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=10mΩMAX.(VGS=10V,ID=17.5A) •LowCiss:Ciss=1900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveappli	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
YJQ35N04A	文件：569.03 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

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功能描述/丝印

制造商上传企业

LOGO

NP35N04YUG

文件：231 Kbytes

Page：8 Pages

MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

Description TheNP35N04YUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=10mΩMAX.(VGS=10V,ID=17.5A) •LowCiss:Ciss=1900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveappli

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

YJQ35N04A

文件：569.03 Kbytes

Page：6 Pages

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司

YANGJIE

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更多EMB35N04J供应商更新时间2025-5-23 17:10:00

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