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EM359X	文件：8.4248 Mbytes Page：59 Pages	High-Performance, Integrated ZigBee/802.15.4 System-on-Chip Family	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
ET359	文件：67.72 Kbytes Page：1 Pages	BIPOLARTRANSISSTORSRATINGSANDSPECIFICATIONS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
EVAL-ADXL359Z	文件：1.63221 Mbytes Page：36 Pages	LowNoise,LowDrift,LowPower3-AxisMEMSAccelerometer GENERALDESCRIPTION ThedigitaloutputADXL3591isalownoisedensity,low0goffset drift,lowpower,3-axismicroelectromechanicalsystem(MEMS) accelerometerwithselectablemeasurementranges.TheADXL359 supportsthe±10g,±20g,and±40granges. TheADXL359offersindustryleadingn	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
EXB359	文件：49.66 Kbytes Page：3 Pages	FUJIBASEDRIVEMODULE	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
F-359XP	文件：172.34 Kbytes Page：3 Pages	POWERTRANSFORMERPCMountDualPrimary	TRIAD TRIAD MAGNETICS	TRIAD
FDN359	文件：264.85 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageandbatte	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDN359A	文件：415.88 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET Features VDS(V)=27V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
FDN359A	文件：327.67 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproduced usingadvancedPowerTrenchprocessthathasbeen especiallytailoredtominimizeon-stateresistance andyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageand batterypoweredapplicatio	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
FDN359AN	文件：264.85 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageandbatte	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDN359AN	文件：415.88 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET Features VDS(V)=27V RDS(ON)	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

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