ELW3120中文资料IGBT Gate Driver数据手册Everlight规格书
ELW3120规格书详情
描述 Description
The ELW3120 consists of an infrared light emitting diodes and integrated high gain, high-speed photo detectors. The device is housed in an 8 pin DIP wide body package and available in SMD package option.
The photo detector has an internal shield that provides a guaranteed common-mode transient immunity of ±20 kV/μs. It is suitable for direct gate driving circuit for IGBTs or power MOSFETs.
技术参数
- 制造商编号
：ELW3120
- 生产厂家
：Everlight
- Function
：IGBT Gate Driver
- Number of Channels
：1
- Dimension (mm)
：11.15x9x3.9
- Topr (Min)(degC)
：-40
- Topr (Max)(degC)
：110
- Viso (Vrms)
：5000
- tPHL (ns)
：300
- tPLH (ns)
：300
- CMR (V/us)
：25000
- IFLH (Max) (mA)
：5
- VCC (Min) (V)
：15
- VCC (Max) (V)
：30
- Output Current (A)
：2.5
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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