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TGI7785-60LHA	文件：346.69 Kbytes Page：7 Pages	MICROWAVEPOWERGaNHEMT FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDHEMT ･HIGHPOWER Pout=48.0dBmatPin=41dBm ･HIGHGAIN GL=11.5dBatPin=20dBm ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-25dBc(Min.)atPout=29dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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东芝株式会社东芝

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MICROWAVEPOWERGaAsFET

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详细参数

型号：
ELM7785-60F
制造商：
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
功能描述：
High Power GaAs FETs, C-Band, 7dB, 7.7 8.5GHz, 13200mA, Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
千层芯半导体(深圳)有限公司	ELM7785-60F	SUMITOMO	2021+	SMT	3600	一级代理销售住友SUMITOMO高频,射频,晶体,微波管	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	ELM7785-60F	Eudyna	2017+	SMD	1585	只做原装正品假一赔十!	询价
深圳市中拓海外电子有限公司	ELM7785-60F	SUMITOMO/EUDYNA	2023+	11K	100	专业销售SUMITOMO/EUDYNA/FUJITSU元器件,常年备有大	询价
深圳市恒佳微电子有限公司	ELM7785-60F	SUMITOMO	2021+		3000	十年专营原装现货,假一赔十	询价
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更多ELM7785-60F供应商更新时间2025-5-27 14:32:00

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