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EL7412CM	文件：180.92 Kbytes Page：8 Pages	High Speed, Four Channel Power MOSFET Drivers General Description The EL7412C contains (4) high performance matched drivers. These very high speed drivers are capable of delivering peak currents of 2.0 amps into highly capacitive loads and are ideally suited for ‘‘Full bridge’’ and ultrasound applications. The high speed performance is achie 文件：180.92 Kbytes 页数：8 Pages	ELANTEC	ELANTEC
EL7412CM	文件：108.17 Kbytes Page：6 Pages	High Speed, Four Channel Power MOSFET Drivers High Speed, Four Channel Power MOSFET Drivers The EL7412 contains (4) high performance matched drivers. These very high speed drivers are capable of delivering peak currents of 2.0 amps into highly capacitive loads and are ideally suited for “Full bridge and ultrasound applications. The high spee 文件：108.17 Kbytes 页数：6 Pages	INTERSIL	INTERSIL
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EL7412CM-T13	文件：108.17 Kbytes Page：6 Pages	High Speed, Four Channel Power MOSFET Drivers High Speed, Four Channel Power MOSFET Drivers The EL7412 contains (4) high performance matched drivers. These very high speed drivers are capable of delivering peak currents of 2.0 amps into highly capacitive loads and are ideally suited for “Full bridge and ultrasound applications. The high spee 文件：108.17 Kbytes 页数：6 Pages	INTERSIL	INTERSIL
EL7412CMZ	文件：108.17 Kbytes Page：6 Pages	High Speed, Four Channel Power MOSFET Drivers High Speed, Four Channel Power MOSFET Drivers The EL7412 contains (4) high performance matched drivers. These very high speed drivers are capable of delivering peak currents of 2.0 amps into highly capacitive loads and are ideally suited for “Full bridge and ultrasound applications. The high spee 文件：108.17 Kbytes 页数：6 Pages	INTERSIL	INTERSIL
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EL7412CM	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC	RENESAS 瑞萨	RENESAS

产品属性

产品编号：
EL7412CM
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
管件
驱动配置：
半桥
通道类型：
独立式
栅极类型：
N 沟道，P 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.5V ~ 15V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.4V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
2A，2A
输入类型：
反相
上升/下降时间（典型值）：
7.5ns，10ns
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装：
20-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 20SOIC

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