| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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10年
留言
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RenesasSOIC-8 |
776 |
21+ |
保证原装正品 深圳现货 |
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RENESASN/A |
70000 |
2025+ |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
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6年
留言
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RENESASSOP8 |
1000 |
21+ |
全新原装 |
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13年
留言
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INTERSILSOP8 |
5782 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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7年
留言
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INTENA |
10 |
21+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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13年
留言
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INTENA |
80000 |
24+ |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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8年
留言
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INTERSILSOP8 |
20000 |
24+ |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
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7年
留言
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INTERSILSOP8 |
800 |
2026+ |
原装正品 假一罚十! |
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14年
留言
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ELANTECSOP-8 |
8985 |
24+ |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
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8年
留言
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Intersil8-SOIC |
32447 |
2023+ |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
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16年
留言
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RENESAS原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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12年
留言
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RENESASSOP8 |
5000 |
24+ |
全新原装正品,现货销售 |
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15年
留言
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Intersilna |
65790 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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14年
留言
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Intersil8-SOIC |
6672 |
26+ |
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
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5年
留言
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Intersil |
66880 |
25+ |
原装正品,欢迎询价 |
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11年
留言
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INTERSILSOP8 |
5782 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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9年
留言
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INTERSILSOP-8P |
36 |
2005 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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17年
留言
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INC |
582 |
24+ |
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6年
留言
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Intersil8-SOIC |
65200 |
24+ |
一级代理/放心采购 |
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12年
留言
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TE/泰科/ |
275591 |
2508+ |
一级代理,原装现货 |
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EL7104CSZ图片
EL7104CSZ价格
EL7104CSZ价格:¥14.1338品牌:Intersil
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EL7104CSZ资讯
EL7104CSZ
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EL7104CSZ中文资料Alldatasheet PDF
更多EL7104CSZ功能描述:功率驱动器IC EL7104CSZ SNG MOSFET DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
EL7104CSZ-T13功能描述:功率驱动器IC EL7104CSZ SINGLE MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
EL7104CSZ-T7功能描述:功率驱动器IC EL7104CSZ SINGLE MSFT DRVR RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube
产品属性
- 产品编号:
EL7104CSZ
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 栅极驱动器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 驱动配置:
低端
- 通道类型:
单路
- 栅极类型:
N 沟道,P 沟道 MOSFET
- 电压 - 供电:
4.5V ~ 16V
- 逻辑电压 - VIL,VIH:
0.8V,2.4V
- 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):
4A,4A
- 输入类型:
非反相
- 上升/下降时间(典型值):
7.5ns,10ns
- 工作温度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC































