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EL4502S(TA)-V	文件：981.69 Kbytes Page：14 Pages	8 PIN DIP HIGH SPEED 1Mbit/s TRANSISTOR Description The 6N135, 6N136, EL4502 and EL4503 devices each consist of an infrared emitting diode, optically coupled to a high speed photo detector transistor. A separate connection for the photodiode bias and output-transistor collector increase the speed by several orders of magnitude over con 文件：981.69 Kbytes 页数：14 Pages	Everlight 台湾亿光	Everlight
EL4502S(TA)-V	文件：981.69 Kbytes Page：14 Pages	8 PIN DIP HIGH SPEED 1Mbit/s TRANSISTOR Description The 6N135, 6N136, EL4502 and EL4503 devices each consist of an infrared emitting diode, optically coupled to a high speed photo detector transistor. A separate connection for the photodiode bias and output-transistor collector increase the speed by several orders of magnitude over con 文件：981.69 Kbytes 页数：14 Pages	Everlight 台湾亿光	Everlight
EL4502S(TB)-V	文件：981.69 Kbytes Page：14 Pages	8 PIN DIP HIGH SPEED 1Mbit/s TRANSISTOR Description The 6N135, 6N136, EL4502 and EL4503 devices each consist of an infrared emitting diode, optically coupled to a high speed photo detector transistor. A separate connection for the photodiode bias and output-transistor collector increase the speed by several orders of magnitude over con 文件：981.69 Kbytes 页数：14 Pages	Everlight 台湾亿光	Everlight
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ELW4502	文件：703.32 Kbytes Page：13 Pages	8 PIN DIP WIDE BODY HIGH SPEED 1Mbit/s TRANSISTOR PHOTOCOUPLER 文件：703.32 Kbytes 页数：13 Pages	Everlight 台湾亿光	Everlight

详细参数

型号：
EL4502S(TA)-V
功能描述：
高速光耦合器 Optocouplers
RoHS：
否
制造商：
Avago Technologies
最大正向二极管电压：
1.75 V
最大反向二极管电压：
5 V
最大功率耗散：
40 mW
最大工作温度：
+125 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
SOIC-5
封装：
Tube

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更多EL4502S(TA)-V供应商更新时间2025-12-1 11:01:00

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