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EGP50B分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

EGP50B

参数属性

EGP50B 封装/外壳为DO-201AA,DO-27,轴向;包装为带盒(TB);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 100V 5A GP20

功能描述

GLASS PASSIVATED FAST EFFICIENT RECTIFIER

封装外壳

DO-201AA,DO-27,轴向

文件大小

59.12 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

GE

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数据手册

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更新时间

2025-10-11 23:00:00

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EGP50B规格书详情

Reverse Voltage - 50 to 400 Volts Forward Current - 5.0 Amperes

FEATURES

♦ Plastic package has Underwriters Laboratories Flammability Classification 94V-0

♦ Glass passivated cavity-free junction

♦ Superfast recovery time for high efficiency

♦ Low forward voltage, high current capability

♦ Low leakage current

♦ High surge current capability

♦ High temperature metallurgically bonded construction

♦ High temperature soldering guaranteed: 300°C/10 seconds, 0.375 (9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension

产品属性

  • 产品编号:

    EGP50B-E3/73

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    SUPERECTIFIER®

  • 包装:

    带盒(TB)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    5A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    95pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-201AA,DO-27,轴向

  • 供应商器件封装:

    GP20

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 100V 5A GP20

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