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EGP30J分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

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厂商型号

EGP30J

参数属性

EGP30J 封装/外壳为DO-201AD,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

功能描述

HIGH EFFICIENCY RECTIFIER

封装外壳

DO-201AD,轴向

文件大小

124.38 Kbytes

页面数量

2 页

生产厂商

BILIN

中文名称

银河微电

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数据手册

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更新时间

2026-10-8 18:27:00

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EGP30J规格书详情

VOLTAGE RANGE: 50 --- 800 V

CURRENT: 3.0 A

FEATURES

◇ Low cost

◇ Diffused junction

◇ Low leakage

◇ Low forward voltage drop

◇ High surge current capability

◇ Easily cleaned with alcohol,Isopropanol and similar solvents

◇ The plastic material carries U/L recognition 94V-0

产品属性

  • 产品编号:

    EGP30J

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    75pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-201AD,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-201AD

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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