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EGP30G中文资料PDF规格书

EGP30G
厂商型号

EGP30G

参数属性

EGP30G 封装/外壳为DO-201AD,轴向;包装为管件管件;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

功能描述

Glass Passivated Ultrafast Rectifier

文件大小

106.34 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

Vishay威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-9 22:59:00

EGP30G规格书详情

FEATURES

• Superectifier structure for high reliability condition

• Cavity-free glass-passivated junction

• Ultrafast reverse recovery time

• Low forward voltage drop

• Low leakage current

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106

• AEC-Q101 qualified

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in

   accordance to WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS

   For use in high frequency rectification and freewheeling

   application in switching mode converters and inverters for

   consumer, computer and telecommunication.

产品属性

  • 产品编号:

    EGP30G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    75pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-201AD,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-201AD

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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