EGP30D分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
EGP30D |
参数属性 | EGP30D 封装/外壳为DO-201AD,轴向;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD |
功能描述 | GLASS PASSIVATED FAST EFFICIENT RECTIFIER |
封装外壳 | DO-201AD,轴向 |
文件大小 |
71.92 Kbytes |
页面数量 |
2 页 |
生产厂商 | GE Industrial Company |
企业简称 |
GE |
中文名称 | GE Industrial Company官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-28 17:48:00 |
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EGP30D规格书详情
Forward Voltage - 50 to 400 Volts Reverse Current - 3.0 Amperes
FEATURES
♦ Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-0
♦ Glass passivated cavity-free junction
♦ Superfast recovery time for high efficiency
♦ Low forward voltage, high current capability
♦ Low leakage current
♦ High surge current capability
♦ High temperature metallurgically bonded construction
♦ High temperature soldering guaranteed: 300°C/10 seconds,
0.375 (9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension
产品属性
- 产品编号:
EGP30D
- 制造商:
onsemi
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
管件
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
3A
- 速度:
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
95pF @ 4V,1MHz
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
DO-201AD,轴向
- 供应商器件封装:
DO-201AD
- 工作温度 - 结:
-65°C ~ 150°C
- 描述:
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
GIC |
24+ |
DO201AD |
990000 |
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ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
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VIS |
24+ |
DO27 |
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VISHAYMAS |
25+23+ |
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23+ |
NA |
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23+ |
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DO201AD |
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VISHAY |
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GS |
24+ |
NO |
2000 |
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