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EGP30D分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

EGP30D
厂商型号

EGP30D

参数属性

EGP30D 封装/外壳为DO-201AD,轴向;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

功能描述

GLASS PASSIVATED FAST EFFICIENT RECTIFIER

封装外壳

DO-201AD,轴向

文件大小

71.92 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 GE Industrial Company
企业简称

GE

中文名称

GE Industrial Company官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-28 17:48:00

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EGP30D规格书详情

Forward Voltage - 50 to 400 Volts Reverse Current - 3.0 Amperes

FEATURES

♦ Plastic package has Underwriters Laboratories

Flammability Classification 94V-0

♦ Glass passivated cavity-free junction

♦ Superfast recovery time for high efficiency

♦ Low forward voltage, high current capability

♦ Low leakage current

♦ High surge current capability

♦ High temperature metallurgically bonded construction

♦ High temperature soldering guaranteed: 300°C/10 seconds,

0.375 (9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension

产品属性

  • 产品编号:

    EGP30D

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    3A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    95pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-201AD,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-201AD

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

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