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EGP10J中文资料PDF规格书

EGP10J
厂商型号

EGP10J

参数属性

EGP10J 封装/外壳为DO-204AL,DO-41,轴向;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

功能描述

1.0 AMP. Glass Passivated High Efficient Plastic Rectifiers

文件大小

73.65 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Taiwan Semiconductor Company, Ltd
企业简称

TSC台半

中文名称

台湾半导体股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-16 23:26:00

EGP10J规格书详情

Voltage Range 50 to 1000 Volts Current 1.0 Ampere

Features

◇ Plastic material used carries Underwriters Laboratory Classification 94V-0

◇ Glass passivated cavity-free junction

◇ Superfast recovery time for high efficiency

◇ Low forward voltage, high current capability

◇ Low leakage current

◇ High surge current capability

◇ High temperature soldering guaranteed: 300℃/10seconds, .375”(9.5mm) lead length at 5 lbs., (2.3kg) tension

产品属性

  • 产品编号:

    EGP10J

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AL,DO-41,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-41

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 600V 1A DO41

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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