EGF1T分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
EGF1T |
| 参数属性 | EGF1T 封装/外壳为DO-214BA；包装为管件；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA |
| 功能描述 | Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier |
| 封装外壳 | DO-214BA |
| 文件大小 |
2.45195 Mbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | TAYCHIPST Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd |
| 中文名称 | 泰迪斯电子 深圳市泰迪斯电子科技有限公司 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-8 17:10:00 |
| 人工找货 | EGF1T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
EGF1T规格书详情
FEATURES
• Cavity-free glass-passivated junction
• Ideal for automated placement
• Ultrafast reverse recovery time
• Low switching losses, high efficiency
• Avalanche surge energy capability
• Meets environmental standard MIL-S-19500
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 250 °C
• Solder dip 260 °C, 40 s
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC
产品属性
- 产品编号：
EGF1T-E3/67A
- 制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 系列：
SUPERECTIFIER®
- 包装：
管件
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)：
1A
- 速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
DO-214BA
- 供应商器件封装：
DO-214BA（GF1）
- 工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
- 描述：
DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
SMA |
990000 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
DO-214AC |
30000 |
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询价 | ||
VISHAYMAS |
25+23+ |
DO-214AC |
53355 |
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询价 | ||
VISHAY |
DO-214BA(GF1) |
130000 |
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询价 | |||
VISHAY |
18+ |
SMA |
6000 |
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询价 | ||
VIS |
24+ |
12000 |
询价 | ||||
VISHAY/威世 |
2407+ |
DO-214BA |
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SUNMATE(森美特) |
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SMA |
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VISHAY |
17+ |
NA |
6200 |
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询价 | ||
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2023+ |
SMD |
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