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EGF1T分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

EGF1T
厂商型号

EGF1T

参数属性

EGF1T 封装/外壳为DO-214BA;包装为管件;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA

功能描述

Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier

封装外壳

DO-214BA

文件大小

2.45195 Mbytes

页面数量

2

生产厂商 Shenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd
企业简称

TAYCHIPST泰迪斯电子

中文名称

深圳市泰迪斯电子科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-3 9:31:00

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EGF1T规格书详情

FEATURES

• Cavity-free glass-passivated junction

• Ideal for automated placement

• Ultrafast reverse recovery time

• Low switching losses, high efficiency

• Avalanche surge energy capability

• Meets environmental standard MIL-S-19500

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 250 °C

• Solder dip 260 °C, 40 s

• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC and WEEE 2002/96/EC

产品属性

  • 产品编号:

    EGF1T-E3/67A

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    SUPERECTIFIER®

  • 包装:

    管件

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-214BA

  • 供应商器件封装:

    DO-214BA(GF1)

  • 工作温度 - 结:

    -55°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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