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EGF1T-E3/67A	文件：295.64 Kbytes Page：4 Pages	Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Idealforautomatedplacement •Ultrafastreverserecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Avalanchesurgeenergycapability •MeetsenvironmentalstandardMIL-S-19500	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
EGF1T-E3/67A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：DO-214BA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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EGF1T-E3/67A

文件：295.64 Kbytes

Page：4 Pages

Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier

FEATURES •Superectifierstructureforhighreliabilitycondition •Cavity-freeglass-passivatedjunction •Idealforautomatedplacement •Ultrafastreverserecoverytime •Lowswitchinglosses,highefficiency •Avalanchesurgeenergycapability •MeetsenvironmentalstandardMIL-S-19500

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

EGF1T-E3/67A

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：管件封装/外壳：DO-214BA 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

产品属性

产品编号：
EGF1T-E3/67A
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
SUPERECTIFIER®
包装：
管件
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
DO-214BA
供应商器件封装：
DO-214BA（GF1）
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA

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