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EGF1DHE3/67A分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

EGF1DHE3/67A
厂商型号

EGF1DHE3/67A

参数属性

EGF1DHE3/67A 封装/外壳为DO-214BA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA

功能描述

Surface Mount Glass Passivated Ultrafast Rectifier

封装外壳

DO-214BA

文件大小

106.76 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Vishay Siliconix
企业简称

VISHAY威世科技

中文名称

威世科技半导体官网

原厂标识
VISHAY
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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EGF1DHE3/67A规格书详情

FEATURES

• Superectifier structure for high reliability condition

• Cavity-free glass-passivated junction

• Ideal for automated placement

• Ultrafast reverse recovery time

• Low switching losses, high efficiency

• High forward surge capability

• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of

   250 °C

• AEC-Q101 qualified

   - Automotive ordering code: base P/NHE3

• Material categorization: for definitions of compliance

   please see www.vishay.com/doc?99912

TYPICAL APPLICATIONS

   For use in high frequency rectification and freewheeling

   application in switching mode converters and inverters for

   consumer, computer, automotive and telecommunication.

产品属性

  • 产品编号:

    EGF1DHE3/67A

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, Superectifier®

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    15pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    DO-214BA

  • 供应商器件封装:

    DO-214BA(GF1)

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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