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IRFB4212PBF	文件：832.03 Kbytes Page：7 Pages	KeyparametersoptimizedforClass-Daudioamplifierapplications Description ThisDigitalAudioMOSFETisspecificallydesignedforClass-Daudioamplifierapplications.ThisMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Furthermore,Gatecharge,body-diodereverserecoveryandinternalGateresistanceareopti	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFB4212PBF	文件：298.76 Kbytes Page：8 Pages	KeyparametersoptimizedforClass-Daudioamplifierapplications	IRF International Rectifier	IRF
IRFB4212PBF	文件：292.17 Kbytes Page：7 Pages	DIGITALAUDIOMOSFET Description ThisDigitalAudioMOSFETisspecificallydesignedforClass-Daudioamplifierapplications.ThisMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Furthermore,Gatecharge,body-diodereverserecoveryandinternalGateresistanceareopti	IRF International Rectifier	IRF
IRKH4212A	文件：233.54 Kbytes Page：10 Pages	THYRISTOR/DIODEandTHYRISTOR/THYRISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRKL4212A	文件：233.54 Kbytes Page：10 Pages	THYRISTOR/DIODEandTHYRISTOR/THYRISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRKN4212A	文件：233.54 Kbytes Page：10 Pages	THYRISTOR/DIODEandTHYRISTOR/THYRISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRKT4212A	文件：233.54 Kbytes Page：10 Pages	THYRISTOR/DIODEandTHYRISTOR/THYRISTOR	IRF International Rectifier	IRF
K4212	文件：262.61 Kbytes Page：9 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK4212AisN-channelMOSFETdevicethatfeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,anddesignedforlowvoltagehighcurrentapplicationssuchasDC/DCconverterwithsynchronousrectifier. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=8.0	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
KM4212	文件：181.54 Kbytes Page：10 Pages	Dual,70A,LowCost,2.7V&5V,7.3MHzRail-to-RailAmp GeneralDescription TheKM4212isanultra-lowpower,lowcost,voltagefeedbackamplifier.TheKM4212usesonly70µAofsupplycurrentandisdesignedtooperateon+2.7V,+5V,or±2.5Vsupplies.Theinputvoltagerangeextends300mVbelowthenegativerailand1.2Vbelowthepositiverail. Fea	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KUWTN-4212	文件：157.46 Kbytes Page：6 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

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产品属性

产品编号：
EG4212A
制造商：
E-Switch
类别：
开关 > 滑动开关
系列：
EG
包装：
管件
电路：
4PDT
接触定时：
未指定
开关功能：
开-开
额定电流（安培）：
300mA（DC）
致动器类型：
标准
致动器长度：
9.00mm
触头表面处理：
银
安装类型：
通孔
端接样式：
PC 引脚
工作温度：
-20°C ~ 70°C
描述：
SWITCH SLIDE 4PDT 300MA 30V

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更多EG4212A供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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