高速低侧单通道驱动芯片

EG27517 单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉 / 灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽 4V - 20V，静态功耗小，双输入设计（可选择反相 IN - 或正相 IN + 驱动器配置），当 VDD = 12V 时，可提供峰值为 4A 的灌 / 拉（对称驱动）电流驱动能力，采用 SOT23 - 5 封装。 • 低成本栅极驱动器器件提供 NPN 和 PNP 离散解决方案的高品质替代产品\n• VDD 电压范围 4V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 4A/4A\n• 输入输出延时短\n• 当输入引脚悬空时，输出保持在低电平\n• 外围器件少\n• 静态电流小，非常适合电池场合\n• 封装形式：SOT23 - 5\n• 无铅绿色环保，符合 ROHS 报告;

EGmicro

屹晶微电子

Single Channel High-Speed, Low-Side Gate Driver

文件：993.2 Kbytes 页数：29 Pages

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德州仪器

UCC2751x Single-Channel, High-Speed, Low-Side Gate Driver (With 4-A Peak Source and 4-A Peak Sink)

1 Features 1• Low-Cost Gate-Driver Device Offering Superior Replacement of NPN and PNP Discrete Solutions • 4-A Peak-Source and 4-A Peak-Sink Symmetrical Drive • Fast Propagation Delays (13-ns Typical) • Fast Rise and Fall Times (9-ns and 7-ns Typical) • 4.5 to 18-V Single-Supply Range • O

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Single-Channel High-Speed Low-Side Gate Driver

文件：1.25339 Mbytes 页数：31 Pages

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