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RF2335PCBA	文件：40.91 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2335isageneralpurpose,low-costRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasily-cascadable50Ωgainblock.ApplicationsincludeIFandRFamplifica	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RFL-2335D	文件：168.63 Kbytes Page：2 Pages	LNAModule	RFHICRFHIC RFHIC	RFHIC
RS2335	文件：145.36 Kbytes Page：4 Pages	PSRandSingleStagePFCControllerforLEDLighting	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
RS2335NG	文件：145.36 Kbytes Page：4 Pages	PSRandSingleStagePFCControllerforLEDLighting	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
SB2335-G	文件：266.52 Kbytes Page：4 Pages	HighBrightnessChipLEDLamp	AUK AUK	AUK
SI2335DS	文件：48.15 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel12-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Available •TrenchFET®PowerMOSFETs:1.8VRated	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
Si2335DS	文件：253.7 Kbytes Page：9 Pages	High-Vin,High-EfficiencyPowerSolutionUsingDC/DCConverterWithDVFS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
SI2335DS	文件：1.60615 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementMOSFET ■Features ●VDS(V)=-12V ●ID=-4.0A(VGS=-4.5V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI2335DS-HF	文件：1.6354 Mbytes Page：4 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-12V ●ID=-4.0A(VGS=-4.5V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SM2335PSA	文件：485.33 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
SM2335PSA	文件：263.64 Kbytes Page：11 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中積體電路大中積體電路股份有限公司	SINOPWER
SM2335PSAC-TRG	文件：263.64 Kbytes Page：11 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET	SINOPWERSinopower Semiconductor Inc 大中積體電路大中積體電路股份有限公司	SINOPWER
SSM2335	文件：583.28 Kbytes Page：16 Pages	Filterless,HighEfficiency,Mono3WClass-DAudioAmplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
SSM2335CBZ-REEL	文件：583.28 Kbytes Page：16 Pages	Filterless,HighEfficiency,Mono3WClass-DAudioAmplifier	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
TBC2335B	文件：186.26 Kbytes Page：5 Pages	DUALOPERATIONALAMPLIFIERWITHDARLINGTONINPUT	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
TBE2335	文件：186.26 Kbytes Page：5 Pages	DUALOPERATIONALAMPLIFIERWITHDARLINGTONINPUT	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
WST2335	文件：610.38 Kbytes Page：5 Pages	P-ChMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半岛体深圳市龍華區大浪街道高峰社區忠信路9號匯億大廈807	WIINSOK
WST2335A	文件：471.8 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitch •PASwitch •DC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

产品属性

产品编号：
EG2335
制造商：
E-Switch
类别：
开关 > 滑动开关
系列：
EG
包装：
管件
电路：
DP3T
接触定时：
未指定
开关功能：
开-开-开
额定电流（安培）：
300mA（DC）
致动器类型：
标准
致动器长度：
5.00mm
触头表面处理：
银
安装类型：
通孔，直角
端接样式：
PC 引脚
工作温度：
-20°C ~ 70°C
描述：
SWITCH SLIDE DP3T 300MA 30V

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