高压600V4A驱动芯片

EG2185 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。高端工作电压可达 600V，低端 VCC 的电源电压范围宽 10V - 20V，静态功耗小于 200uA。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道 HIN 内建了一个 250K 下拉电阻，LIN 内建了上拉 5V 高电位，在输入悬空时使上、下功率 MOS 管处于关闭状态，输出电流能力为0+/-4/4A，采用 SOP8 封装。 • 高端悬浮自举电源设计，耐压可达 600V\n• 适应 5V、3.3V 输入电压\n• 最高频率支持 500KHZ\n• VCC 和 VB 电源带欠压保护\n• 低端 VCC 电压范围 10V - 20V\n• 输出电流能力 IO+/- 4A/4A\n• 内建死区控制电路\n• 自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通\n• HIN 输入通道高电平有效，控制高端 HO 输出\n• LIN 输入通道低电平有效，控制低端 LO 输出\n• 外围器件少\n• 封装形式：SOP8\n• 无铅无卤符合 ROHS 标准;

EGmicro

屹晶微电子

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Features • Low on-resistance • Low drive current • High density mounting

文件：123.08 Kbytes 页数：9 Pages

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Features • Low on-resistance • Low drive current • High density mounting

文件：123.08 Kbytes 页数：9 Pages

RENESAS

瑞萨

10/100 BASE - TX QUAD PORT TRANSFORMER MODULES

文件：517.1 Kbytes 页数：2 Pages

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